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1SS120中文资料

  • 大小:451.44KB
  • 厂家:SUNMATE/森美特
  • 描述:rr = 3.5ns max) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Symbol Value Unit Peak reverse voltage V RM 70 V Reverse voltage V R 60 V Peak forward current I FM 450 mA Non-Repetitive peak forward surge current I FSM *1 A Average forward current I O 150 mA Power dissipation Pd 250 mW Junction temperature Tj 175 C Storage temperature Tstg –65 to +175 C Note: Within 1s forward surge current. Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Item Symbol Min Typ Max Unit Test Condition Forward voltage V F — — 0.8 V I F = 10mA Reverse current I R — — 0.1 mAV R = 60V Capacitance C — — 3.0 pF V R = 1V, f = 1MHz Reverse recovery time t rr * — — 3.5 ns I F = 10mA, V R = 6V, R L = 50W Note: Reverse recovery time test circuit 0.079(2.0) MAX 0.020(0.52) TYP 0.165 (4.2) MAX 1.0 2(26.0) MIN. 1.0 2(26.0) MIN. DO-35(GLASS) Dimensions in millimeters Features SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODES 1SS120 Mechanical Data Case: DO-35, glass case Polarity: Color band denotes cathode Weight: 0.004 ounce

1SS120供应商

更新时间:2022-12-31 16:38:46
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